[发明专利]一种双面氧化铝P型PERC太阳能电池及制作方法有效
申请号: | 201710937780.6 | 申请日: | 2017-10-10 |
公开(公告)号: | CN107887453B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 孙涌涛 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 322118 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池领域,公开了一种双面氧化铝P型PERC太阳能电池及制作方法,该电池包括硅片和两个正电极;硅片正面依次设有正面氮化硅膜和正面氧化铝膜;硅片背面依次设有背面氧化铝膜、背面氮化硅膜、背电极/场。其制作方法包括:1)清洗、制绒;2)扩散制PN结;3)刻蚀;4)正面镀氮化硅膜;5)双面镀氧化铝膜;6)背面镀氮化硅膜;7)激光开槽;8)丝网印刷、烧结。本发明在硅片背面、正面都覆盖一层氧化铝薄膜,能够解决常规P型PERC电池在制作背面氧化铝时,绕镀导致的正面外观色差及EL边缘发黑等问题,同时正面均匀沉积的氧化铝薄膜层,有利于降低反射率提高转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 氧化铝 perc 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种双面氧化铝P型PERC太阳能电池,其特征在于:包括硅片(3)和设于所述硅片正面的两个正电极(7);所述硅片正面依次设有正面氮化硅膜(2)和正面氧化铝膜(1);硅片背面依次设有背面氧化铝膜(4)、背面氮化硅膜(5)、背电极/场(6);所述的双面氧化铝P型PERC太阳能电池的制作方法包括以下步骤:1)清洗、制绒;2)扩散制PN结;3)刻蚀;4)正面镀氮化硅膜:采用PECVD方式,在步骤(3)刻蚀好的硅片正面镀70‑80nm厚的氮化硅膜;5)双面镀氧化铝膜:将步骤4)正面镀好氮化硅膜的硅片,插入铝质花篮中,每个卡槽插1片,放入氧化铝镀膜设备中,在真空条件下,以原子沉积的方式周期性通入TMA和水蒸气,在硅片正面、背面同时制作一层厚度为3‑10nm氧化铝膜层;6)背面镀氮化硅膜:将步骤5)双面镀好氧化铝的硅片利用PECVD方式,在硅片背面镀100‑180nm厚的氮化硅膜;7)激光开槽;8)丝网印刷、烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的