[发明专利]一种双面氧化铝P型PERC太阳能电池及制作方法有效
申请号: | 201710937780.6 | 申请日: | 2017-10-10 |
公开(公告)号: | CN107887453B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 孙涌涛 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 322118 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 氧化铝 perc 太阳能电池 制作方法 | ||
1.一种双面氧化铝P型PERC太阳能电池,其特征在于:包括硅片(3)和设于所述硅片正面的两个正电极(7);所述硅片正面依次设有正面氮化硅膜(2)和正面氧化铝膜(1);硅片背面依次设有背面氧化铝膜(4)、背面氮化硅膜(5)、背电极/场(6);
所述的双面氧化铝P型PERC太阳能电池的制作方法包括以下步骤:
1)清洗、制绒;
2)扩散制PN结;
3)刻蚀;
4)正面镀氮化硅膜:采用PECVD方式,在步骤(3)刻蚀好的硅片正面镀70-80nm厚的氮化硅膜;
5)双面镀氧化铝膜:将步骤4)正面镀好氮化硅膜的硅片,插入铝质花篮中,每个卡槽插1片,放入氧化铝镀膜设备中,在真空条件下,以原子沉积的方式周期性通入TMA和水蒸气,在硅片正面、背面同时制作一层厚度为3-10nm氧化铝膜层;
6)背面镀氮化硅膜:将步骤5)双面镀好氧化铝的硅片利用PECVD方式,在硅片背面镀100-180nm厚的氮化硅膜;
7)激光开槽;
8)丝网印刷、烧结。
2.如权利要求1所述的一种双面氧化铝P型PERC太阳能电池,其特征在于,步骤1)中,清洗、制绒的具体过程为:将P型硅片用双氧水清洗后,置于80±2℃、浓度为3-4%的碱中制绒10-20min,然后用盐酸、氢氟酸清洗1-3min,纯水清洗1-3min后烘干。
3.如权利要求1所述的一种双面氧化铝P型PERC太阳能电池,其特征在于,步骤2)中,扩散制PN结的具体过程为:将步骤1)制绒后的硅片在720-850℃下,通入三氯氧磷、氮气和氧气,制作方阻为85±5 ohm/squ的PN结。
4.如权利要求1所述的一种双面氧化铝P型PERC太阳能电池,其特征在于,步骤3)中,刻蚀的具体过程为:对步骤2)PN结制作完毕的硅片进行湿法刻蚀去除背面PN结,减重控制0.2-0.3g/片。
5.如权利要求1所述的一种双面氧化铝P型PERC太阳能电池,其特征在于,步骤7)中,激光开槽的具体过程为:将步骤6)处理后的硅片,利用激光在背面氮化硅膜上均匀开孔径为35-45μm的槽线,线数170-200根。
6.如权利要求1所述的一种双面氧化铝P型PERC太阳能电池,其特征在于,步骤8)中,丝网印刷、烧结的具体过程为:对步骤7)处理后的硅片,分别印刷背电极、背电场、正电极,最后烧结形成双面氧化铝P型PERC太阳能电池。
7.如权利要求1所述的一种双面氧化铝P型PERC太阳能电池,其特征在于,步骤5)中,通入TMA和水蒸气的每个周期过程为:通入1.5-2.5秒TMA,氮气清洗2.5-3.5秒,通入水蒸气1-2秒,氮气清洗4-6秒,总周期数为要40-60个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的