[发明专利]场效晶体管在审
| 申请号： | 201710916160.4 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107978638A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 吴育任;刘继文;陈爍帆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;吴育任 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 场效晶体管(field effect transistor,FET)包含栅极介电层、形成于栅极介电层上的二维通道层以及栅极电极。二维通道层包含主体区(body region)，其具有第一侧边与相对于第一侧边的第二侧边，主体区为场效晶体管的通道。二维通道层还包含每个从主体区的第一侧边突出的第一指区域与每个从主体区的第二侧边突出的第二指区域。源极电极覆盖第一指区域，而漏极电极覆盖第二指区域。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
一种场效晶体管，其特征在于，包含：一栅极介电层；一通道层，形成于该栅极介电层上；以及一栅极电极，其中：该通道层包含一主体区，该主体区具有一第一侧边与相对于该第一侧边的一第二侧边，该主体区作为该场效晶体管的一通道，该通道层还包含每个皆从该主体区的该第一侧边突出的多个第一指区域以及每个皆从该主体区的该第二侧边突出的多个第二指区域，以及一源极电极覆盖所述多个第一指区域，而且一漏极电极覆盖所述多个第二指区域。
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