[发明专利]半导体激光元件有效
| 申请号： | 201710915746.9 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107611770B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 谷坂真吾;小泉大树 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/10;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘晓迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种光输出及FFP优异的半导体激光元件及其制造方法。本发明的半导体激光元件的制造方法具有：准备晶片的工序，该晶片包括多个从下面侧起依次具备衬底和具有光波导的半导体构造的半导体激光元件；在晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第一槽的工序，俯视观察，该第一槽向远离光波导且与光波导交叉的方向延伸；在形成有第一槽的晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第二槽的工序，该第二槽以与使第一槽延长的直线交叉的方式延伸且具有比第一槽平滑的面；通过沿着第一槽分割所述晶片而得到激光棒的工序；在与第一槽延伸的方向交叉的方向分割激光棒而得到各个半导体激光元件的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体激光元件，从下面侧起依次具备衬底和具有与共振器端面交叉的光波导的半导体构造，其中，在下面侧或上面侧的至少一方，在所述共振器端面设有远离所述光波导且沿所述共振器端面延伸的第一槽，在设有所述第一槽的下面侧或上面侧的至少一方设有第二槽，该第二槽具有与所述第一槽延长的直线交叉且比所述第一槽平滑的面。
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