[发明专利]一种反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法

摘要

本发明涉及一种反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法，包括步骤(1)反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面损伤层去除及表面微修饰配置HF臭氧混合溶液，将经反应离子刻蚀处理后的硅片放于HF臭氧混合溶液中，使硅片表面形成氧化硅层；(2)在纳米绒面制备完成后，将硅片放于由HF、HCl和去离子水混合而成的混合溶液中，去除硅片表面的氧化硅层及金属离子，然后烘干，进入多晶电池片正常流程。该方法可以精准控制所去除损伤层的厚度，使得去损伤后反射率范围集中，电池片颜色外观均一；与现有去损伤层工艺相比，化学品耗用量低；O3不但可去除表面损伤层，而且对硅片表面的有机物及金属离子也有较好的清除能力。

主权项

一种反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法，其特征在于，包括步骤：(1) 反应离子刻蚀方法损伤层去除及表面微修饰：配置HF臭氧混合溶液，将经RIE处理后的硅片放置于所述HF臭氧混合溶液中，使得硅片表面形成氧化硅层；(2)在纳米绒面制备完成后，将硅片放置于由HF、HCl和去离子水混合而成的混合溶液中，去除硅片表面的氧化硅层及金属离子，然后烘干，进入多晶电池片正常流程。