[发明专利]在互连件之间具有屏蔽凸块的堆叠式图像传感器有效
| 申请号: | 201710906263.2 | 申请日: | 2017-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN107895731B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
| 发明(设计)人: | 真锅宗平;马渕圭司;后藤高行;文森特·韦内齐亚;博伊德·艾伯特·佛勒;埃瑞克·A·G·韦伯斯特 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种在互连件之间具有屏蔽凸块的堆叠式图像传感器。图像传感器包含像素阵列,所述像素阵列具有被布置到第一半导体裸片中的像素单元的多个行及多个列中的多个像素单元。多个像素支持电路被布置于第二半导体裸片中,所述第二半导体裸片与所述第一半导体裸片被堆叠在一起且耦合在一起。多个互连线耦合于所述第一与第二半导体裸片之间,且所述多个像素单元中的每一者通过所述多个互连线中的对应一者耦合到所述多个像素支持电路中的对应一者。多个屏蔽凸块经安置成接近所述像素阵列中的所述像素单元的拐角且经安置于所述第一与第二半导体裸片之间,使得所述多个屏蔽凸块中的每一者安置于沿着所述像素阵列的对角线的相邻互连线之间。 | ||
| 搜索关键词: | 互连 之间 具有 屏蔽 堆叠 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其包括:像素阵列,其包含被布置到第一半导体裸片中的像素单元的多个行及多个列中的多个像素单元;多个像素支持电路,其被布置于第二半导体裸片中,其中所述第一与第二半导体裸片被堆叠在一起且耦合在一起;多个互连线,其耦合于所述第一与第二半导体裸片之间,其中所述多个像素单元中的每一者通过所述多个互连线中的对应一者耦合到所述多个像素支持电路中的对应一者;及多个屏蔽凸块,其经安置成接近于所述像素单元的拐角且经安置于所述第一与第二半导体裸片之间,使得所述多个屏蔽凸块中的每一者安置于沿着所述像素阵列的对角线的相邻互连线之间并且使得在所述像素阵列的相同的行中的相邻互连线之间不存在屏蔽凸块,致使在所述像素阵列的相同的所述行中的所述相邻互连线之间产生耦合电容,其中一次读出所述像素阵列的两行中的每隔一个像素单元,使得存在安置于沿着所述对角线的所述互连线之间的所述多个屏蔽凸块中的所述一者,所述互连线耦合到所述一次读出的所述像素阵列的所述两行中的所述每隔一个像素单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于豪威科技股份有限公司,未经豪威科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710906263.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:堆叠式图像传感器
- 下一篇:改善的具有沟槽栅的金属氧化物半导体
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





