[发明专利]一种Ni‑Zn‑N薄膜阻挡层及其制备方法在审
| 申请号： | 201710872114.9 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107742561A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 汪雪婷 | 申请（专利权）人： | 江苏时瑞电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C1/14 | 分类号： | H01C1/14;H01C7/04;C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212434 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ni‑Zn‑N薄膜阻挡层及其制备方法，所述阻挡层按质量百分比计，其中Ni‑Zn合金占60％～85％，余下成分为Zn3N2和Ni3N2，占15％～40％。本发明的Ni‑Zn‑N薄膜阻挡层与现有技术相比，稳定性能有显著提高。不易受温度变化影响，耐湿性能优异，不易受水汽侵蚀，制备出的电极使用寿命较常规电极有显著提高，阻挡层薄膜厚度均小于70nm，远低于常规的阻挡层，导电性能与传统Ag电极相当，制备方法简单易行，制备成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ni zn 薄膜 阻挡 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ni‑Zn‑N薄膜阻挡层，其特征在于，所述阻挡层按质量百分比计，其中Ni‑Zn合金占60％～85％，余下成分为Zn3N2和Ni3N2，占15％～40％。
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