[发明专利]一种Ni‑Zn‑N薄膜阻挡层及其制备方法

权利要求书

1.一种Ni-Zn-N薄膜阻挡层，其特征在于，所述阻挡层按质量百分比计，其中Ni-Zn合金占60％～85％，余下成分为Zn₃N₂和Ni₃N₂，占15％～40％。

2.根据权利要求1所述的一种Ni-Zn-N薄膜阻挡层，其特征在于，按质量百分比，所述阻挡层中Zn₃N₂：Ni₃N₂＝(36～54):(46～64)。

3.根据权利要求1所述的一种Ni-Zn-N薄膜阻挡层，其特征在于，所述阻挡层的厚度为3.5～6nm。

4.基于权利要求1所述的一种Ni-Zn-N薄膜阻挡层的制备方法，包括以下步骤：

步骤1)选用市售硅片作为基片，对基片进行超声清洗、干燥；

步骤2)将步骤1)所述基片置于磁控溅射仪中，采用PVD工艺对基片进行磁控溅射，采用Ni-Zn合金作为靶材并加载直流功率，采用氩气作为溅射气体并调节气压，再通入氮气，沉积后制得Ni-Zn-N薄膜阻挡层。

5.根据权利要求4所述的一种Ni-Zn-N薄膜阻挡层的制备方法，其特征在于，步骤2)所述直流功率为10～50W，通入氩气的气体流量为30～80sccm，调节气压至0.2～0.5Pa，通入氮气的气体流量为60～100sccm，沉积时间为3～5h。

6.根据权利要求5所述的一种Ni-Zn-N薄膜阻挡层的制备方法，其特征在于，步骤2)所述直流功率为20W，通入氩气的气体流量为50sccm，调节气压至0.3Pa，通入氮气的气体流量为80sccm，沉积时间为4h。