[发明专利]一种散热结构以及OLED显示装置有效
申请号: | 201710861102.6 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107785500B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 王欣欣;贾文斌;彭锐;叶志杰;胡月;宋丽芳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及显示技术领域,公开一种散热结构以及OLED显示装置,散热结构包括相对设置的热膨胀层和散热层、第一纳米线以及第二纳米线,其中:第一纳米线阵列分布在热膨胀层与散热层相对的表面上,第二纳米线阵列分布在散热层与热膨胀层相对的表面,第一纳米线和第二纳米线交错排布,部分第一纳米线与第二纳米线相接触;热膨胀层背离散热层的表面形成热量导入面,热源上局部温度较高处进入到热膨胀层的热量较多,带动第一纳米线运动的距离较远,更多的第一纳米线与第二纳米线相接触,热量传导更多地传导至散热层,并扩散到外部,使局部温度较高处的温度下降,进而使得热源温度均匀,能够解决热源散热不均的问题,散热效果较好,且结构简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 散热 结构 以及 oled 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种散热结构,其特征在于,包括相对设置的热膨胀层和散热层、第一纳米线以及第二纳米线,其中:所述第一纳米线阵列分布在所述热膨胀层与所述散热层相对的表面上,所述第二纳米线阵列分布在所述散热层与所述热膨胀层相对的表面,所述第一纳米线和第二纳米线交错排布,部分所述第一纳米线与所述第二纳米线相接触;所述热膨胀层背离所述散热层的表面形成热量导入面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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