[发明专利]一种散热结构以及OLED显示装置有效
申请号: | 201710861102.6 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107785500B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 王欣欣;贾文斌;彭锐;叶志杰;胡月;宋丽芳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 散热 结构 以及 oled 显示装置 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开一种散热结构以及OLED显示装置,散热结构包括相对设置的热膨胀层和散热层、第一纳米线以及第二纳米线,其中:第一纳米线阵列分布在热膨胀层与散热层相对的表面上,第二纳米线阵列分布在散热层与热膨胀层相对的表面,第一纳米线和第二纳米线交错排布,部分第一纳米线与第二纳米线相接触;热膨胀层背离散热层的表面形成热量导入面,热源上局部温度较高处进入到热膨胀层的热量较多,带动第一纳米线运动的距离较远,更多的第一纳米线与第二纳米线相接触,热量传导更多地传导至散热层,并扩散到外部,使局部温度较高处的温度下降,进而使得热源温度均匀,能够解决热源散热不均的问题,散热效果较好,且结构简单。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种散热结构以及OLED显示装置。
背景技术
在显示技术领域,OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示装置属于电激发光器件,以其自发光、高发光效率、低工作电压、轻薄、可柔性化以及制程工艺简单等优点,在显示照明等领域应用广泛。
目前,在常规的OLED显示装置的工作过程中,当显示单元局部温度不均时,热量在到达OLED显示装置的封装盖板处时温度不均,由于封装盖板的材料限制了其散热的效果,并且,即使是在封装盖板上设有散热片,由于散热片导热性的限制,散热片对热量的散热效果也不理想,导致热量不能够有效地扩散至OLED显示装置外侧,使得封装盖板温度不均,部分区域温度过高,并且累积在OLED显示装置内部的热量会使得OLED显示装置内部的工作环境温度过高,导致OLED显示装置内部器件老化,进而影响OLED显示装置的工作寿命。
发明内容
本发明提供一种散热结构以及OLED显示装置。该散热结构能够解决热源散热不均的问题,均匀热源的温度,散热效果较好,且结构简单,具有该散热结构的OLED显示装置的散热效果较好、且温度均匀。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种散热结构,包括相对设置的热膨胀层和散热层、第一纳米线以及第二纳米线,其中:
所述第一纳米线阵列分布在所述热膨胀层与所述散热层相对的表面上,所述第二纳米线阵列分布在所述散热层与所述热膨胀层相对的表面,所述第一纳米线和第二纳米线交错排布,部分所述第一纳米线与所述第二纳米线相接触;
所述热膨胀层背离所述散热层的表面形成热量导入面。
在上述散热结构中,热膨胀层的热量导入面与热源相接触,热量经过热量导入面传导至热膨胀层,热膨胀层受热向着散热层的方向膨胀并将热量传导至第一纳米线,带动位于其上的第一纳米线向着第二纳米线的方向运动,相接触的第一纳米线和第二纳米线增多,接触面积增大,热量较多地传导至第二纳米线并将过散热层扩散至外部;当热源温度不均时,热源上局部温度较高处经过热量导入面进入到热膨胀层的热量较多,使得热膨胀层受热带动第一纳米线运动的距离相对其他位置较远,更多的第一纳米线与第二纳米线相接触,进而接触面积较大,此时,热量传导更多地传导至散热层,并通过散热层扩散到外部,热源上局部温度较高处的热量能够较多地扩散出去,使局部温度较高处的温度下降,进而使得热源温度均匀;温度较高时热膨胀层膨胀,热量传出后热膨胀层回复,可实现循环变化。
因此,上述散热结构能够解决热源散热不均的问题,均匀热源的温度,散热效果较好,且结构简单。
优选地,所述第一纳米线由金属材料制备;和/或,所述第二纳米线由金属材料制备。
优选地,所述第一纳米线的横截面形状梯形,所述第二纳米线的形状为倒梯形,所述第一纳米线和第二纳米线相互交错。
优选地,所述热膨胀层包括由弹性材料制成的膨胀腔体,所述膨胀腔体形成有热膨胀系数高于所述膨胀腔体的夹层。
优选地,所述膨胀腔体由橡胶制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择