[发明专利]半导体存储装置及连续读出方法有效
| 申请号： | 201710857466.7 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107871525B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 神永雄大;水藤克年 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G06F12/02;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊;郭晓宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体存储装置及连续读出方法，本发明的闪存100具有存储单元阵列110，选择存储单元阵列110的页且将选择页的数据在页缓冲器/感测电路180读出的页读出单元，及控制页的连续读出的控制单元150。控制单元150，在相关于连续读出结束的命令被输入的场合中使连续读出结束，且在相关于连续读出结束的命令没有被输入的场合中使连续读出继续执行，在连续读出继续执行中时，即使芯片选择信号CS被触发，可以没有页数据读出命令的输入而进行连续读出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 连续 读出 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于，包括：存储单元阵列；页读出单元，选择前述存储单元阵列的页、且将选择页的数据读出于数据保持部；以及控制单元，控制通过前述页读出单元进行的页的连续读出；其中，前述控制单元，当输入的命令是相关于连续读出结束的命令时，使连续读出结束。
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