[发明专利]一种基于SOI-MEMS的温控隔振平台加工方法

摘要

本发明属于温控隔振结构制备工艺领域，并具体公开了一种基于SOI‑MEMS的温控隔振平台加工方法，其包括如下步骤：选取SOI硅片，使其顶硅层进行外延生长，形成与顶硅层晶体结构相同的硅外延生长层，在硅外延生长层的表面形成第一绝缘层；在第一绝缘层的表面制备加热单元、第一焊盘、温度传感单元、第二焊盘和互连导线；在第一绝缘层上制备第二绝缘层，然后制备MEMS振荡器结合焊盘、第三焊盘和输出互连导线；刻蚀第二绝缘层和第一绝缘层形成沟槽，并刻蚀基底层以获得所需的锚定结构，然后刻蚀硅外延生长层使其与沟槽导通，最后刻蚀二氧化硅埋氧层以此制备获得所需的温控隔振平台。本发明具有制备工艺简单、可操作性强等优点。

主权项

1.一种基于SOI‑MEMS的温控隔振平台加工方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选取SOI硅片，该SOI硅片上部的顶硅层(101)用于加工隔振悬臂结构，下部的基底层(103)用于加工锚定结构，中部的二氧化硅埋氧层(102)用于实现顶硅层和基底层的隔离；使所述顶硅层进行外延生长，形成与顶硅层晶体结构相同的硅外延生长层(104)，在所述硅外延生长层的表面形成第一绝缘层(105)；(2)在所述第一绝缘层(105)的表面制备加热单元(21)、第一焊盘(23)、温度传感单元(24)、第二焊盘(26)、所述加热单元(21)与第一焊盘(23)之间的第一互连导线(22)以及所述温度传感单元(24)与第二焊盘(26)之间的第二互连导线(25)；(3)在已制备加热单元(21)、第一焊盘(23)、温度传感单元(24)、第二焊盘(26)、第一互连导线(22)和第二互连导线(25)的所述第一绝缘层(105)上制备第二绝缘层(115)，然后在该第二绝缘层(115)上制备MEMS振荡器结合焊盘(31)、第三焊盘(33)以及所述MEMS振荡器结合焊盘(31)与第三焊盘(33)之间的输出互连导线(32)；(4)根据隔振悬臂结构的加工图案刻蚀第二绝缘层(115)和第一绝缘层(105)以形成沟槽(117)，并根据锚定结构的加工图案刻蚀所述基底层(103)以获得所需的锚定结构，然后刻蚀硅外延生长层(104)使其与所述沟槽(117)导通，最后刻蚀二氧化硅埋氧层(102)，以此制备获得所需的温控隔振平台。