[发明专利]一种肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法有效
| 申请号： | 201710854806.0 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107946351B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;张培健;刘建;王飞;欧宏旗;钟怡;黄彬 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法，包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第一导电类型势垒高度调节区、肖特基接触区、栅介质层、栅电极层和上电极层。所述第一导电类型势垒高度调节区和肖特基接触区均覆盖于第二导电类型体区之上的部分表面。所述栅介质层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面、第二导电类型体区之上的部分表面、肖特基接触区之上的部分表面。所述栅介质层还覆盖于第一导电类型势垒高度调节区之上。所述上电极层覆盖于栅电极层之上，所述上电极层还覆盖于肖特基接触区之上的部分表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 接触 超级 整流器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、轻掺杂第一导电类型外延层(30)、第二导电类型体区(31)、第一导电类型势垒高度调节区(32)、肖特基接触区(40)、栅介质层(41)、栅电极层(42)和上电极层(50)；所述重掺杂第一导电类型衬底层(20)覆盖于下电极层(10)之上；所述轻掺杂第一导电类型外延层(30)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(20)之上；所述第二导电类型体区(31)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面；所述第一导电类型势垒高度调节区(32)和肖特基接触区(40)均覆盖于第二导电类型体区(31)之上的部分表面；所述栅介质层(41)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面、第二导电类型体区(31)之上的部分表面；所述栅介质层(41)还覆盖于第一导电类型势垒高度调节区(32)之上；所述栅电极层(42)覆盖于栅介质层(41)之上；所述上电极层(50)覆盖于栅电极层(42)之上，所述上电极层(50)还覆盖于肖特基接触区(40)之上。
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