[发明专利]一种硅纳米结构异质结太阳电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种硅纳米结构异质结太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域。硅纳米结构异质结太阳电池由晶体硅纳米结构衬底S、超薄氧化硅钝化层P、无掺杂空穴传输层H、无掺杂电子传输层E、透明电极T、金属栅线电极M1、背电极M2组成。利用硅纳米结构衬底高陷光特性实现对入射光的有效吸收；利用与无掺杂电子(空穴)传输层的宽带隙、高透过的特性进一步降低器件寄生吸收，提高光电转换效率。上述硅纳米结构太阳电池的电子(空穴)传输层不涉及掺杂工艺，且H与T皆具有高透过、低寄生光吸收的特性，可有效降低器件缺陷态密度，且制备方法简单，易于实施。

主权项

一种硅纳米结构异质结太阳电池，其特征在于，依次由晶体硅纳米结构衬底S、超薄氧化硅钝化层P、无掺杂空穴传输层H、无掺杂电子传输层E、透明电极T、金属栅线电极M1和背电极M2组成；其中，所述晶体硅纳米结构衬底S为单晶硅或多晶硅纳米结构衬底，厚度为1‑500μm；无掺杂空穴传输层H为氧化钼、氧化镍、氧化钒和氧化钨中的1～4种的组合，厚度为1～50nm，光学带隙宽度为2.5～4.5eV；无掺杂电子传输层E为氟化锂、碳酸铯、氧化镁和氟化镁中的1～4种的组合，厚度为1～50nm；透明电极T为氧化铟锡、氧化锡、氧化锌和氧化钛中的1～4种的组合，厚度为10～200nm；超薄氧化硅钝化层厚度为0.1～10nm；金属栅线电极M1的厚度为0.1～100μm。