[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板在审
| 申请号： | 201710853687.7 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107507869A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 李松杉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括提供基板，在基板上依次形成缓冲层、低温多晶硅层、源极接触区、漏极接触区、栅极绝缘层、栅极层和介电层；通过干法刻蚀形成贯穿介电层和栅极绝缘层的第一接触孔和第二接触孔，以分别将源极接触区和漏极接触区暴露；其中，干法刻蚀采用的刻蚀气体包括含氟气体和氢气；在介电层上形成通过第一接触孔与源极接触区相接的源极，以及形成通过第二接触孔与漏极接触区相接的漏极。本发明在采用干法刻蚀工艺制备接触孔时，在刻蚀气体中增加了H2，增大对多晶硅的选择比，造成的多晶硅损耗很少。本发明还提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管和阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板上依次形成缓冲层、低温多晶硅层、源极接触区、漏极接触区、栅极绝缘层、栅极层和介电层，所述源极接触区和所述漏极接触区与所述低温多晶硅层同层设置，且分别设置在所述低温多晶硅层相对的两端；通过干法刻蚀分别形成贯穿所述介电层和所述栅极绝缘层的第一接触孔和第二接触孔，以分别将所述源极接触区和所述漏极接触区暴露；其中，所述干法刻蚀采用的刻蚀气体包括含氟气体和氢气；在所述介电层上形成通过所述第一接触孔与所述源极接触区相接的源极，以及形成通过所述第二接触孔与所述漏极接触区相接的漏极。
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