[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板，在所述基板上依次形成缓冲层、低温多晶硅层、源极接触区、漏极接触区、栅极绝缘层、栅极层和介电层，所述源极接触区和所述漏极接触区与所述低温多晶硅层同层设置，且分别设置在所述低温多晶硅层相对的两端；

通过干法刻蚀分别形成贯穿所述介电层和所述栅极绝缘层的第一接触孔和第二接触孔，以分别将所述源极接触区和所述漏极接触区暴露；其中，所述干法刻蚀采用的刻蚀气体包括含氟气体和氢气；

在所述介电层上形成通过所述第一接触孔与所述源极接触区相接的源极，以及形成通过所述第二接触孔与所述漏极接触区相接的漏极。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述含氟气体包括CF₄和SF₆中的至少一种。

3.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述含氟气体与所述氢气的流量比为5-15:1。

4.如权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述含氟气体与所述氢气的流量比为10:1。

5.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述含氟气体的流量为100-500sccm。

6.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀过程中：气压为30-50mtorr，气体源功率为400-800W，偏置电压为100-200V。

7.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一种，所述栅极绝缘层的厚度为所述介电层的材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一种，所述介电层的厚度为

8.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法制备而成。

9.如权利要求8所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述源极在所述源极接触区中与所述低温多晶硅层的远离所述缓冲层的表面接触，所述漏极在所述漏极接触区中与所述低温多晶硅层的远离所述缓冲层的表面接触。

10.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的低温多晶硅薄膜晶体管。