[发明专利]混合非易失性存储器结构及其方法有效
| 申请号： | 201710842744.1 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107910031B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 骆志炯;王澍;金晓明 | 申请（专利权）人： | 上海博维逻辑半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C14/00 | 分类号： | G11C14/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 杨国权;马佑平 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 这里一般描述了用于包括多个SRAM缓冲器的混合非易失性存储器结构的技术。首先通过执行存取队列缓冲读/写操作，可以对非易失性读/写操作实现SRAM存取时间。SRAM缓冲器可以作为系统SRAM共享。在其他示例中，根据一些实施例的混合非易失性存储器可以包括高速块和高耐久性块以存储具有不同存取需求的不同类型的数据。混合非易失性存储器还可以包括用于存储非频繁改变的数据的正常块。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 非易失性存储器 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种混合存储器装置，包括：具有多个静态随机存取存储器SRAM块单元的静态随机存取存储器SRAM阵列；和具有多个非易失性存储器NVM块单元的非易失性存储器NVM阵列，其中所述NVM阵列的一部分被配置为映射到多个SRAM缓冲器，并且所述SRAM缓冲器能被配置共享为系统SRAM。
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