[发明专利]芯片上的加热器及其形成方法有效
申请号: | 201710834423.7 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN108226257B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 陈东村;黄睿政;陈昆龙;谢正祥 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 具有在加热元件之间具有不均匀间隔的同心环构造的芯片上的加热器与圆形或方形加热元件相比提供了改进的径向均温性和低功耗。芯片上的加热器适用于与需要严格温度控制的片上传感器集成和使用。本发明的实施例提供了芯片上的加热器及其形成方法。 | ||
搜索关键词: | 芯片 加热器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:公共沟道区,具有第一表面和相对的第二表面;第一栅极电介质,设置在所述公共沟道区的所述第一表面上;第一栅电极,设置在所述第一栅极电介质上;第一源极/漏极和第二源极/漏极,由所述公共沟道区彼此横向分离;第二栅极电介质,设置在所述公共沟道区的所述第二表面上;加热器,具有相对于彼此同心设置的多个加热元件;以及温度传感器;其中,所述多个加热元件中的每个加热元件均具有弧形形状,并且所述多个加热元件中的每个加热元件均具有相应的半径。
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