[发明专利]外延硅晶片的制备方法及外延硅晶片在审
| 申请号： | 201710833605.2 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN109509704A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 川岛正;野中直哉;品川正行;上园刚 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;周李军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于减少SF产生。解决手段为在添加磷使得电阻率为0.6mΩ·cm以上且0.9mΩ·cm以下的硅晶片的表面设置有外延膜的外延硅晶片的制备方法，所述制备方法具有：晶片形成工序，其中，通过CZ法使硅单晶生长，并切割出硅晶片；簇固溶处理工序，其中，在所述硅晶片中，制成在用平面TEM观察其表面的情况下规定尺寸的缺陷不被检出的状态；和外延膜生长工序，其中，在所述硅晶片的表面使外延膜生长。 | ||
| 搜索关键词： | 外延硅晶片 硅晶片 制备 外延膜生长 硅单晶生长 表面设置 固溶处理 形成工序 平面TEM 电阻率 外延膜 硅晶 检出 晶片 切割 观察 | ||
【主权项】：
1.外延硅晶片的制备方法，其是在硅晶片的表面设置有外延膜的外延硅晶片的制备方法，所述硅晶片以使电阻率为0.6mΩ·cm以上且0.9mΩ·cm以下的方式添加有磷，所述制备方法的特征在于，具有：晶片形成工序，其中，通过CZ法使硅单晶生长，并切割出硅晶片；簇固溶处理工序，其中，在所述硅晶片中，制成在用平面TEM即透射电子显微镜观察其表面的情况下规定尺寸的缺陷不被检出的状态；和外延膜生长工序，其中，在所述硅晶片的表面使外延膜生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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