[发明专利]二极管、功率器件、电力电子设备及二极管制作方法在审
申请号: | 201710831544.6 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN107564968A | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 曾丹 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L21/329 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 519070*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种二极管、功率器件、电力电子设备及二极管制作方法,以简化电力电子设备的电路板结构,使设备易于实现小型化设计。二极管包括第一导电型半导体衬底;位于所述第一导电型半导体衬底第一侧的第一导电型半导体外延层;位于所述第一导电型半导体外延层远离所述第一导电型半导体衬底一侧的第二导电型半导体;位于所述第一导电型半导体衬底第二侧的电阻层;位于所述电阻层远离所述第一导电型半导体衬底一侧的第一金属层。本发明实施例的二极管中集成有电阻层,包含该二极管的功率器件应用到电力电子设备中,电力电子设备的电路板上无需另外设置电阻,从而简化了电路板结构,减小了电路板面积,使电力电子设备易于实现小型化设计。 | ||
搜索关键词: | 二极管 功率 器件 电力 电子设备 制作方法 | ||
【主权项】:
一种二极管,其特征在于,包括:第一导电型半导体衬底;位于所述第一导电型半导体衬底第一侧的第一导电型半导体外延层;位于所述第一导电型半导体外延层远离所述第一导电型半导体衬底一侧的第二导电型半导体;位于所述第一导电型半导体衬底第二侧的电阻层;位于所述电阻层远离所述第一导电型半导体衬底一侧的第一金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海格力电器股份有限公司,未经珠海格力电器股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710831544.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示装置
- 下一篇:MOS变容器、栅极堆叠结构及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类