[发明专利]二极管、功率器件、电力电子设备及二极管制作方法

权利要求书

1.一种二极管，其特征在于，包括：

第一导电型半导体衬底；

位于所述第一导电型半导体衬底第一侧的第一导电型半导体外延层；

位于所述第一导电型半导体外延层远离所述第一导电型半导体衬底一侧的第二导电型半导体；

位于所述第一导电型半导体衬底第二侧的电阻层；

位于所述电阻层远离所述第一导电型半导体衬底一侧的第一金属层。

2.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述电阻层覆盖所述第一导电型半导体衬底的第二侧表面。

3.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述电阻层覆盖所述第一导电型半导体衬底的第二侧表面的部分区域。

4.如权利要求3所述的二极管，其特征在于，所述电阻层包括阵列排布的多个电阻单元。

5.如权利要求4所述的二极管，其特征在于，所述电阻单元在所述第一导电型半导体衬底上的正投影的形状包括圆形、方形或多边形。

6.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述电阻层与所述第一导电型半导体衬底位于同一物理结构层。

7.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述电阻层与所述第一导电型半导体衬底位于不同物理结构层。

8.如权利要求7所述的二极管，其特征在于，所述电阻层至少为两层。

9.如权利要求7或8所述的二极管，其特征在于，所述电阻层的材质类型包括非晶硅层、氧化物半导体层或掺杂多晶硅层。

10.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，

所述第一导电型半导体衬底为N型半导体衬底，所述第一导电型半导体外延层为N型半导体外延层；

所述第二导电型半导体为P型半导体。

11.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，还包括耐压终端结构，所述耐压终端结构位于所述第一导电型半导体外延层远离所述第一导电型半导体衬底的一侧，且环绕所述第二导电型半导体设置。

12.一种功率器件，其特征在于，包括如权利要求1～11任一项所述的二极管。

13.一种电力电子设备，其特征在于，包括如权利要求12所述的功率器件。

14.一种二极管制作方法，其特征在于，包括：

在第一导电型半导体衬底的第一侧形成第一导电型半导体外延层；

在所述第一导电型半导体外延层远离所述第一导电型半导体衬底的一侧形成第二导电型半导体；

在所述第一导电型半导体衬底的第二侧形成电阻层；

在所述电阻层远离所述第一导电型半导体衬底的一侧形成第一金属层。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述在所述第一导电型半导体衬底的第二侧形成电阻层，包括：

对所述第一导电型半导体衬底的第二侧表面进行整面的第二导电型掺杂注入处理。

16.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述在所述第一导电型半导体衬底的第二侧形成电阻层，包括：

通过掩模构图工艺对所述第一导电型半导体衬底的第二侧表面的部分区域进行第二导电型掺杂注入处理。

17.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述在所述第一导电型半导体衬底的第二侧形成电阻层，包括：

在所述第一导电型半导体衬底的第二侧形成非晶硅层、氧化物半导体层或掺杂多晶硅层。

18.如权利要求14～17任一项所述的方法，其特征在于，在形成所述电阻层之前，所述方法还包括：

依次对所述第一导电型半导体衬底的第二侧表面进行减薄处理和应力释放腐蚀处理。

19.如权利要求14～17任一项所述的方法，其特征在于，在形成所述电阻层之后，在形成所述第一金属层之前，所述方法还包括：

对所述电阻层进行掺杂的激活处理。