[发明专利]一种超结器件的制备方法在审
| 申请号： | 201710829495.2 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107665920A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 马荣耀;刘春华 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超结器件的制备方法，应用于超结器件中，其特征在于，包括以下步骤于一半导体衬底上依次生成多个非掺杂外延层；在形成每一非掺杂外延层后，在当前的所述非掺杂外延层上依次注入一层N型杂质，以及于对应所述硅衬底的P型区域注入一P型杂质；通过一退火工艺对所有非掺杂外延层中的N型杂质以及P型杂质进行扩散，以形成对应的N型柱和P型柱。其技术方案的有益效果在于，提高超结器件的工艺窗口，提高良率的同时，改变雪崩电流路径，提高超结器件的耐用度，克服了现有技术中超结器件的工艺窗口逐渐狭窄导致器件耐用度下降，以及良率下降的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超结器件的制备方法，应用于超结器件中，其特征在于，包括以下步骤：于一半导体衬底上依次生成多个非掺杂外延层；在形成每一非掺杂外延层后，在当前的所述非掺杂外延层上依次注入一层N型杂质，以及于对应所述硅衬底的P型区域注入一P型杂质；通过一退火工艺对所有非掺杂外延层中的N型杂质以及P型杂质进行扩散，以形成对应的N型柱和P型柱。
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