[发明专利]氧化锌MOCVD设备间歇式喷淋工艺调整薄膜生长均匀性的方法

摘要

MOCVD是一个庞大的系统，生长的过程中同时发生着许多物理和化学现象。半导体薄膜的生长与MOCVD系统本身的结构设计、反应物的选择、各项生长参数(例如反应室压力、衬底温度、气体流量等)、生长步骤等紧密相关，所有这些因素共同作用，达到理想状态才能得到高质量的薄膜。本发明的目的在于提供一种氧化锌MOCVD设备间歇式喷淋工艺调整薄膜生长均匀性的方法，通过计算机对符合实验结果的MOCVD设备模型进行数值模拟，对MFC入口开关进行间歇式控制，从而直观看出间歇式控制对MOCVD薄膜生长均匀性的影响。

主权项

氧化锌MOCVD设备间歇式喷淋工艺调整薄膜生长均匀性的方法，其特征在于：a、利用MOCVD设备生长氧化锌薄膜，通过间歇控制多个MO源流量中的一个MO源流量来进行多组实验，生长完成后测量氧化锌薄膜上多个取样点的厚度，得到多组实验数值的薄膜沉积率；b、构建计算流体力学数值模拟模型并利用所述一个MO源流量进行数值模拟计算，监测所述多个取样点的薄膜沉积率，得到多组模拟数值的薄膜沉积率；c、将多组所述实验数值的薄膜沉积率分别和多组所述模拟数值的薄膜沉积率比对，待数值模拟结果和实验结果进行对比，验证数值模拟结果的正确性；d、进行实验设计，通过控制一个MO源开关，设置至少两不同的周期时长，分别计算至少两个不同的所述周期时长的多个周期；e、利用所述一个MO源开关的控制方式进行数值模拟，监测多个所述取样点的薄膜沉积率，得出转盘上不同位置的薄膜沉积率随时间变化的趋势；f、通过比较所述转盘上不同位置的薄膜沉积率随时间变化的趋势，找出并分析所述一个MO源开关控制方式对薄膜沉积率均匀性的影响。