[发明专利]氧化锌MOCVD设备间歇式喷淋工艺调整薄膜生长均匀性的方法

权利要求书

1.氧化锌MOCVD设备间歇式喷淋工艺调整薄膜生长均匀性的方法，其特征在于：

a、利用MOCVD设备生长氧化锌薄膜，通过间歇控制多个MO源流量中的一个MO源流量来进行多组实验，生长完成后测量氧化锌薄膜上多个取样点的厚度，得到多组实验数值的薄膜沉积率；

b、构建计算流体力学数值模拟模型并利用所述一个MO源流量进行数值模拟计算，监测所述多个取样点的薄膜沉积率，得到多组模拟数值的薄膜沉积率；

c、将多组所述实验数值的薄膜沉积率分别和多组所述模拟数值的薄膜沉积率比对，待数值模拟结果和实验结果进行对比，验证数值模拟结果的正确性；

d、进行实验设计，通过控制一个MO源开关，设置至少两不同的周期时长，分别计算至少两个不同的所述周期时长的多个周期；

e、利用所述一个MO源开关的控制方式进行数值模拟，监测多个所述取样点的薄膜沉积率，得出转盘上不同位置的薄膜沉积率随时间变化的趋势；

f、通过比较所述转盘上不同位置的薄膜沉积率随时间变化的趋势，找出并分析所述一个MO源开关控制方式对薄膜沉积率均匀性的影响。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤a中，多个所述MO源流量至少为5个。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤a中，多组所述实验和多组所述实验数值至少为10组。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤a中，多个所述取样点至少为3个。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤b中，多组所述模拟数值至少为10组。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤d中，所述一个MO源开关为MFC14。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤d中，至少两个不同的所述周期时长分别在1s到10min之间。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：步骤d中，多个所述周期的数目在9到10之间。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：步骤e中，多个所述取样点至少为3个。