[发明专利]太阳能双玻组件的制备方法在审
申请号: | 201710822809.6 | 申请日: | 2017-09-13 |
公开(公告)号: | CN107579017A | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 吴明 | 申请(专利权)人: | 江苏银环新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)32260 | 代理人: | 张欢勇 |
地址: | 214203 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种太阳能双玻组件的制备方法,其工艺主要包括串焊、裁切、层叠、层压、组装等工艺,其中层压工艺是核心工艺,需要精准控制温度、压力等参数,其中在层叠过程中依次在底层钢化玻璃上敷设POE胶膜、太阳能电池串、POE胶膜、面层钢化玻璃,每个钢化玻璃层和太阳能电池串之间设置有三层POE胶膜,第一层POE胶膜尺寸与钢化玻璃层尺寸相同且与之贴合设置,第二层POE胶膜为两个条形的POE胶膜,分别位于第一层POE胶膜的两个窄边处,第三层POE胶膜为四个块状的POE胶膜,分别位于条形POE胶膜的端部;在双层玻璃的边缘处尤其是四个角落增加POE膜,可以填充玻璃变形后产生的空间,从而抑制气泡的产生。 | ||
搜索关键词: | 太阳能 组件 制备 方法 | ||
【主权项】:
太阳能双玻组件的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)利用串焊机对太阳能电池片进行串焊,且对POE膜进行裁切,裁切出方便汇流条穿出的槽口;(2)依次在底层钢化玻璃上敷设POE胶膜、太阳能电池串、POE胶膜、面层钢化玻璃,形成太阳能双玻组件,其中在太阳能电池串敷设完成后,用汇流条将太阳能电池串串联为一个整体;其中每个钢化玻璃层和太阳能电池串之间设置有三层POE胶膜,第一层POE胶膜尺寸与钢化玻璃层尺寸相同且与之贴合设置,第二层POE胶膜为两个条形的POE胶膜,分别位于第一层POE胶膜的两个窄边处,第三层POE胶膜为四个块状的POE胶膜,分别位于条形POE胶膜的端部;(3)进行EL检测,通过红外相机成像,检测双波组件内太阳能电池片是否存在隐裂片,并剔除隐裂片;(4)用耐高温的胶带对检测后的组件进行包边,防止POE胶膜融化从玻璃间隙中溢出;(5)将包边好的双玻组件放入层压装置内,用硅胶板进行保压,将POE胶膜融化,具体是:控制温度在148°~152°,抽真空360~480S,真空度保持在‑99~105kpa;抽真空结束后加压‑60kpa,持续时间4‑6s,继续加压至后‑40kpa,持续时间4‑6s,继续加压至后‑15kpa,持续时间1000‑1110s;(6)将经过层压后的双玻组件边缘处的胶带撕除,切除多余的胶料;(7)再对双玻组件进行组装,接入接线盒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏银环新能源科技有限公司,未经江苏银环新能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710822809.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种叉指状测试结构
- 下一篇:基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造