[发明专利]一种功率芯片封装方法和结构有效
| 申请号： | 201710821689.8 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107799428B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 武伟;李现兵;张朋;韩荣刚;林仲康;石浩;田丽纷;张喆 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 吴黎 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种功率芯片封装方法和结构，所述方法包括：在第一金属垫片上设置第一烧结层；在所述第一烧结层上设置功率芯片；在第二金属垫片上设置第二烧结层；将设置有所述第二烧结层的所述第二金属垫片设置在所述功率芯片上，并使所述第二烧结层贴近所述功率芯片，以形成待烧结子模组；对所述待烧结子模组进行烧结形成烧结子模组。该方案通过将第一金属垫片、功率芯片和第二金属垫片烧结在一起，降低了各个零部件之间的接触热阻，由于第一金属垫片、第二金属垫片与功率芯片之间形成共融合金，使得功率芯片子模组具备短路失效性能，通过对零部件最后的整体厚度公差进行管控，降低了单独对这三个零部件以及其他零部件厚度的加工精度要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 芯片 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种功率芯片封装方法，其特征在于，包括：在第一金属垫片上设置第一烧结层；在所述第一烧结层上设置功率芯片；在第二金属垫片上设置第二烧结层；将设置有所述第二烧结层的所述第二金属垫片设置在所述功率芯片上，并使所述第二烧结层贴近所述功率芯片，以形成待烧结子模组；对所述待烧结子模组进行烧结形成烧结子模组。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全球能源互联网研究院有限公司，未经全球能源互联网研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710821689.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光电元件的制备方法
- 下一篇：用于形成半导体器件的方法以及半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
