[发明专利]具有深沟槽耗尽和隔离结构的开关有效
| 申请号： | 201710817698.X | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN108987462B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | S·M·尚克;A·K·斯塔珀;J·J·埃利斯-莫纳甘;T·段 | 申请（专利权）人： | 格芯美国公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/762;H01L21/764 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及具有深沟槽耗尽和隔离结构的开关及其制造方法。所述结构包括具有在至少一个栅极叠层的源极区和漏极区之下且被衬有掺杂材料的深沟槽隔离结构限定的全耗尽区的体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 深沟 耗尽 隔离 结构 开关 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：具有在至少一个栅极叠层的源极区和漏极区之下且被衬有掺杂材料的深沟槽隔离结构限定的全耗尽区的体衬底。
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