[发明专利]一种显示面板及其制程有效
申请号: | 201710788449.2 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN107622975B | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 张良芬 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种显示面板及其制程,显示面板制程包括:提供一基板层;在所述基板层上形成薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管上形成一层平坦层;在所述平坦层上形成辅助电极层;在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜,所述多层薄膜中单层薄膜的致密性从下往上逐渐增大;对所述多层薄膜涂敷光阻、曝光、显影形成预设图案,形成预设图案的所述多层薄膜的宽度相等;对所述多层薄膜进行干蚀刻,以使所述多层薄膜中单层薄膜的宽度从下往上逐渐变大;去除所述多层薄膜上的涂覆光阻,形成倒梯形的阴极隔离柱。阴极隔离柱具有制程稳定性好,大板均一性好的特点,并在后续制程中不容易从基板上脱落。简化了制作倒梯形的阴极隔离柱的制程,提高了效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 | ||
【主权项】:
1.一种显示面板的制程,其特征在于,包括:/n提供一基板层;/n在所述基板层上形成薄膜晶体管;/n在所述薄膜晶体管上形成一层平坦层;/n在所述平坦层上形成辅助电极层;/n在所述辅助电极层上依次沉积多层薄膜,所述多层薄膜中单层薄膜的致密性从下往上逐渐增大;/n对所述多层薄膜涂敷光阻,对所述光阻曝光、显影形成图像;/n对所述多层薄膜进行干蚀刻,将超出所述图像部分去除,并使所述多层薄膜中单层薄膜的宽度从下往上逐渐变大;/n去除所述多层薄膜上的涂敷光阻,形成倒梯形的阴极隔离柱。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造