[发明专利]一种电荷泵稳压电路以及存储器有效
| 申请号： | 201710786634.8 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109427370B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 刘晓庆;胡俊;舒清明 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种电荷泵稳压电路以及存储器，所述电荷泵稳压电路包括电荷泵，以及与电荷泵连接的存储单元，还包括：第一MOS管、第二MOS管、偏置电路；其中，第一MOS管串联在电荷泵、存储单元之间，在第一MOS管与存储单元之间存在第一支路，第二MOS管位于第一支路中，第二MOS管的栅极与偏置电路的输出端相连；偏置电路，用于在对所述存储单元进行操作的过程中，当存储单元的输入电压大于第一阈值时，将第二MOS管导通，以使输入电压通过第二MOS管的漏极放电。通过本发明实施例，实现了将由于寄生电容拉高的电压降低，避免了对存储单元的输入电压被干扰而无法使用，保证了输入电压VPPIN的稳定，使得对存储单元的读、写、擦等操作保持正常。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 稳压 电路 以及 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种电荷泵稳压电路，包括电荷泵，以及与所述电荷泵连接的存储单元，其特征在于，所述电路还包括：第一MOS管、第二MOS管、偏置电路；其中，所述第一MOS管串联在所述电荷泵、所述存储单元之间，在所述第一MOS管与所述存储单元之间存在第一支路，所述第二MOS管位于所述第一支路中，所述第二MOS管的栅极与所述偏置电路的输出端相连；所述偏置电路，用于在对所述存储单元进行操作的过程中，当所述存储单元的输入电压大于第一阈值时，将所述第二MOS管导通，以使所述输入电压通过所述第二MOS管的漏极放电。
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