[发明专利]一种基片刻蚀方法及相应的处理装置有效
| 申请号： | 201710786592.8 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109427551B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 严利均;刘身健;李洋;饭塚浩 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/311;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基片刻蚀方法，所述方法在一等离子体处理装置内进行，所述基片刻蚀方法刻蚀的基片包括光刻胶掩膜层，介质抗反射层，碳硬掩膜层及氧化硅层；以图形化的介质抗反射层为掩膜刻蚀位于介质抗反射层下方的碳硬掩膜层，形成图形化的碳硬掩膜层；所述等离子体处理装置包括一射频源功率源和一射频偏置功率源，所述射频偏置功率源在刻蚀所述介质抗反射层时输出一频率大于等于2MHZ的射频信号，监测刻蚀工艺进程，当所述介质抗反射层刻蚀完成后，切换所述射频偏置功率源的输出频率小于2MHZ，实现对碳硬掩膜层的刻蚀。其优点是：保证碳掩膜层的刻蚀孔壁垂直，并降低刻蚀孔的开口宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 相应 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基片刻蚀方法，所述方法在一等离子体处理装置内进行，其特征在于，所述基片刻蚀方法刻蚀的基片包括光刻胶掩膜层，介质抗反射层，碳硬掩膜层及氧化硅层；以图形化的介质抗反射层为掩膜刻蚀位于介质抗反射层下方的碳硬掩膜层，形成图形化的碳硬掩膜层；所述等离子体处理装置包括一射频源功率源和一射频偏置功率源，所述射频偏置功率源在刻蚀所述介质抗反射层时输出一频率大于等于2MHZ的射频信号；监测刻蚀工艺进程，当所述介质抗反射层刻蚀完成后，切换所述射频偏置功率源的输出频率小于2MHZ，实现对碳硬掩膜层的刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
