[发明专利]一种半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法在审
| 申请号： | 201710778027.7 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN107686977A | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 戴晓宸 | 申请（专利权）人： | 苏州云舒新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58;C23C14/02 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 215104 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法，该工艺利用酸洗和碱洗清洗活化陶瓷薄膜基底，应用磁控溅射技术将二硫化钼溅射至陶瓷薄膜表层，进而退火得到半导体二硫化钼薄膜材料。制备而成的半导体二硫化钼薄膜材料，其制作工艺简单、导电性能好、光电效应好，具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 二硫化钼 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将陶瓷薄膜基底进行酸洗和碱洗净化，用高温水蒸气高温活化表层，处理30min；（2） 在磁控溅射腔体内样品位置安装清洗好的陶瓷薄膜基底，再安装MoS2 靶材，靶材的纯度大于99.9%，靶材指向样品位，靶材与基底的距离为10‑15cm；（3）利用磁控溅射将MoS2均匀溅射在陶瓷薄膜基底表层，形成二硫化钼薄膜材料初制品；（4）将步骤（3）的二硫化钼薄膜材料初制品进行退火，即得成品。
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