[发明专利]一种晶圆清洗缺陷的改善方法和装置在审
| 申请号： | 201710775177.2 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107564841A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 游晓英;蒋阳波;汪亚军;郑晓芬;张静平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 郭化雨,王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种晶圆清洗缺陷的改善方法和装置，其该方法包括获取水槽的配置信息，所述配置信息包括所述水槽的容积、排水速度；根据所述配置信息确定所述水槽的理论排空时间，所述理论排空时间为所述水槽的容积和排水速度的比；根据所述排水速度、排水管的容积、化学溶液的浓度和粘度等确定排水延长时间；所述排水管连接所述水槽和排水阀；根据所述理论排空时间和所述排水延长时间，确定所述水槽的实际排水时间。可见，本申请可以使水槽中的残留的化学溶液清洗彻底，从而使得后续的清水洗净工序中，避免化学溶液回流和残留的发生，进而使得晶圆能够得到充分的清洗，使得晶圆表面整体缺陷有比较大的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 缺陷 改善 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆清洗缺陷的改善方法，其特征在于，所述方法包括：获取水槽的配置信息，所述配置信息包括所述水槽的容积、排水速度；根据所述配置信息确定所述水槽的理论排空时间，所述理论排空时间为所述水槽的容积和排水速度的比；根据所述排水速度和排水管的容积确定排水延长时间；所述排水管连接所述水槽和排水阀；根据所述理论排空时间和所述排水延长时间，确定所述水槽的实际排水时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
