[发明专利]一种纳米二极管的制备方法和纳米二极管有效
| 申请号： | 201710773067.2 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107528001B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 魏飞;申博渊;谢欢欢 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05;H01L51/30;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人： | 李世喆 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米二极管的制备方法和纳米二极管，其中，纳米二极管的制备方法包括：制备碳纳米管，在所述碳纳米管上沉积至少一个半导体晶体，其中，每一个所述半导体晶体与该半导体晶体包裹的碳纳米管组成一个半导体异质结；定位所述半导体异质结上的漏极区域以及与所述半导体异质结相连的一段碳纳米管上的源极区域；控制在所述漏极区域沉积二极管的漏极，在所述源极区域沉积二极管的源极，其中，所述漏极、所述源极、沉积所述漏极的半导体异质结以及沉积所述源极的一段碳纳米管组成一个纳米二极管。本发明提供的方案能够突破摩尔定律带来的物理极限。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米二极管的制备方法，其特征在于，制备碳纳米管；还包括：在所述碳纳米管上沉积至少一个半导体晶体，其中，每一个所述半导体晶体与该半导体晶体包裹的碳纳米管组成一个半导体异质结；定位所述半导体异质结上的漏极区域以及与所述半导体异质结相连的一段碳纳米管上的源极区域；控制在所述漏极区域沉积二极管的漏极，在所述源极区域沉积二极管的源极，其中，所述漏极、所述源极、沉积所述漏极的半导体异质结以及沉积所述源极的一段碳纳米管组成一个纳米二极管；其中，所述半导体晶体为六边形二维层状晶体；漏极沉积在半导体晶体上，源极沉积在与半导体异质结相连的一段碳纳米管上。
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