[发明专利]一种金属栅极结构及其形成方法

摘要

本申请实施例公开了一种金属栅极形成方法，该方法包括提供衬底，衬底上形成有栅极待填充区域，沿待填充区域表面形成第一阻挡层，向待填充区域填充含氟钨源制成的金属钨，形成金属钨电极层，对金属钨电极层进行反刻，在待填充区域的开口处形成凹槽，沿凹槽表面形成不含氟的第二阻挡层。该方法通过在金属钨电极层上形成一层第二阻挡层，由于第二阻挡层不含氟，也不与氟化物反应，可以抑制金属钨电极层中的氟侵蚀氧化硅，避免了氟侵蚀造成的器件漏电和击穿电压异常，提升器件的可靠性。本申请实施例还公开了一种金属栅极结构。

主权项

一种金属栅极的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极待填充区域；沿所述待填充区域表面形成第一阻挡层；向所述待填充区域填充含氟钨源制成的金属钨，以形成金属钨电极层；对所述金属钨电极层进行反刻形成凹槽，沿所述凹槽表面形成不含氟的第二阻挡层。