[发明专利]一种具有绒面背接触层的碲化镉太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201710771582.7 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN107742650A | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;赵雷 | 申请(专利权)人: | 成都中建材光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0296;H01L31/18 |
代理公司: | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)51237 | 代理人: | 李华,温黎娟 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开一种具有绒面背接触层的碲化镉太阳能电池及其制备方法,所述太阳能电池由下至上依次包括衬底层、背电极层、背接触层、光吸收层,所述背接触层的材料为铜硒钼的化合物(MoSe2Cu),所述背电极层的材料为金属钼,所述光吸收层为碲化镉薄膜。该电池使用MoSe2Cu作为背接触层的材料,与光吸收层形成良好的欧姆接触同时,Se通过扩散到光吸收层,可以调节带隙,而且通过酸刻蚀实现绒面反射未吸收太阳光的效果,使得光吸收层充分的利用太阳光,增加电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 绒面背 接触 碲化镉 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有绒面背接触层的碲化镉太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池由下至上依次包括衬底层、背电极层、背接触层、光吸收层,所述衬底层的材料二氧化硅,所述背接触层的材料为铜硒钼的化合物(MoSe2:Cu),所述背电极层的材料为金属钼,所述光吸收层为碲化镉薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的