[发明专利]浅沟道隔离结构的制作方法和半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种浅沟道隔离结构的制作方法和半导体器件的制作方法，包括：提供一衬底结构，所述衬底结构依次包括半导体衬底、氧化物层和阻挡层，所述半导体衬底包括相邻设置的N型掺杂区和P型掺杂区，且所述氧化物层与所述阻挡层之间的预设区域设置有牺牲层；对所述衬底结构具有所述阻挡层一侧刻蚀沟道，且所述沟道将所述N型掺杂区和P型掺杂区隔离；在所述沟道内填充绝缘材料以形成隔离结构；依次去除所述阻挡层和所述牺牲层。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过在氧化物层和阻挡层之间的预设区域设置牺牲层，进而在去除阻挡层时通过牺牲层保护氧化物层的预设区域不被影响，改善氧化物层表面出现锐形缺陷的情况，提高产品的良率。

主权项

1.一种浅沟道隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底结构，其中，所述衬底结构依次包括半导体衬底、氧化物层和阻挡层，所述半导体衬底包括相邻设置的N型掺杂区和P型掺杂区，且所述氧化物层与所述阻挡层之间的预设区域设置有牺牲层，其中，所述牺牲层的厚度范围为20埃‑60埃，包括端点值；所述阻挡层的厚度范围为350埃‑450埃，包括端点值；对所述衬底结构具有所述阻挡层一侧刻蚀沟道，且所述沟道将所述N型掺杂区和P型掺杂区隔离；在所述沟道内填充绝缘材料以形成隔离结构；依次去除所述阻挡层和所述牺牲层，且在去除所述阻挡层时通过所述牺牲层保护所述预设区域；其中，所述依次去除所述阻挡层和所述牺牲层包括：采用第一刻蚀溶液去除所述阻挡层，且所述第一刻蚀溶液对所述阻挡层的材质的刻蚀速率，大于对所述氧化物层的材质和所述牺牲层的材质的刻蚀速率；采用第二刻蚀溶液去除所述牺牲层，且所述第二刻蚀溶液对所述牺牲层的材质的刻蚀速率，不小于对所述氧化物层的材质的刻蚀速率。