[发明专利]隔离结构及其形成方法

摘要

本发明公开一种隔离结构及其形成方法。半导体元件中隔离结构的形成方法，其步骤包含形成具有多个芯轴以及一周边部分围绕着该些芯轴的第一掩模层、在第一掩模层的侧壁上形成间隔壁、在该些间隔壁之间的空间中填入第二掩模层、移除该些间隔壁以形成开口图案、以第一掩模层与第二掩模层为蚀刻掩模进行一蚀刻工艺，以在基底中形成沟槽、以及在沟槽中填入绝缘材料以形成隔离结构。

主权项

1.一种在半导体元件中形成隔离结构的方法，包含：提供一基底；在该基底上形成一第一掩模层，其中该第一掩模层包含多个彼此间隔并往第一方向延伸的芯轴以及围绕着该些芯轴的至少一周边部分；在该第一掩模层的侧壁上形成间隔壁，其中该些间隔壁包含多个回圈形状的内间隔壁图案以及围绕着该些内间隔壁图案的一外间隔壁图案；在该些间隔壁之间的该基底上填入第二掩模层；移除该些间隔壁以在该第一掩模层与该第二掩模层之间形成开口图案；以该第一掩模层与该第二掩模层为蚀刻掩模来蚀刻该基底以在该基底中形成沟槽；以及在该些沟槽中填入绝缘材料以在该基底中形成隔离结构。