[发明专利]一种形成多层复合膜的方法及三维存储器件

摘要

本发明提供的一种形成多层复合膜的方法以及三维存储器件，该方法包括在三维存储器芯片上依次沉积多层复合薄膜，并通过后续的退火和CMP工艺，得到表面平坦三维存储器芯片，其中该多层复合薄膜中各层薄膜所具有的应力系数不完全相同。利用具有不同应力系数组合搭配的多层复合薄膜替代现有的单一应力系数的单层薄膜，从而解决了单层单一应力系数的覆盖薄膜由于厚度增大而引起的缺陷增多、厚度不均、应力增大导致的表面开裂等诸多问题。

主权项

1.一种形成多层复合膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板，所述基板上至少包括核心三维存储器件区以及位于所述核心存储器件区周围的外围电路区，所述核心三维存储器件区包括位于所述基板上依次形成的多层存储器堆叠结构，所述堆叠结构在其至少一侧形成台阶结构，使得所述堆叠结构中的每一层都至少部分的暴露，所述堆叠结构的高度高于所述外围电路区的高度；在所述基板上形成复合介质层薄膜以完全覆盖所述核心存储器件区以及所述外围电路区，所述复合介质层薄膜包括依次形成的多层复合薄膜，所述多层复合薄膜中最后形成的一层薄膜的表面距离所述基板表面的高度不低于所述堆叠结构的表面距离所述基板表面的高度；所述多层复合薄膜形成之后，通过退火处理使其中各个层之间的边界消失，形成复合薄膜；所述多层复合薄膜中各层薄膜所具有的应力系数不完全相同。