[发明专利]一种砂轮精磨后硅片损伤层的检测方法有效
申请号: | 201710742276.0 | 申请日: | 2017-08-25 |
公开(公告)号: | CN107543837B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 惠珍;丁玉龙 | 申请(专利权)人: | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 |
主分类号: | G01N23/22 | 分类号: | G01N23/22;G01N23/2202 |
代理公司: | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人: | 霍彦伟 |
地址: | 450001 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种砂轮精磨后硅片损伤层的检测方法,包括如下步骤:选取与磨削片尺寸相同的原片,将其切割成正方形小硅片;用不同粒度的树脂多孔砂轮齿端面打磨磨削片和原片后,将二者进行粘接,粘接好后的组合小硅片再用不同粒度的树脂多孔砂轮齿端面打磨,在第二夹具上研磨抛光得到一个倾角为θ的斜面,用腐蚀液腐蚀其横截面后,用扫面电镜进行损伤层测量,得最大损伤层深度L,并根据公式H=Lsinθ计算损伤层H的损伤深度。因为损伤层的厚度H是很微小的,如果直接测量H,误差较大,本发明先测量其斜边L的长度,再根据直角三角形定律计算出H,因为斜边L较长,所以测量误差会比直接测量H小。 | ||
搜索关键词: | 一种 砂轮 精磨后 硅片 损伤 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种砂轮精磨后硅片损伤层的检测方法,其特征在于:包括如下步骤:(1)选取与待检测硅片尺寸相同的硅片原片,用减薄机进行单面抛光,减薄后的硅片原片的平整度小于1μm,将待检测硅片命名为磨削片,硅片原片命名为原片;(2)预先在磨削片和原片上画好需要切割的纹路,用划片机沿垂直磨削纹路的方向进行切割,得到正方形小硅片,其边长为4‑20mm,切割后的小硅片进行清洗干燥后备用;(3)将步骤(2)得到的磨削片小硅片的横截面先在第一树脂多孔砂轮齿端面上打磨2‑5min,再在第二树脂多孔砂轮齿端面上打磨3‑6min,打磨后的磨削片小硅片清洗干燥后备用;第一树脂多孔砂轮齿端面的砂轮粒度大于第二树脂多孔砂轮齿端面的砂轮粒度;(4)将步骤(3)得到的打磨后的磨削片小硅片与步骤(2)得到的原片小硅片进行粘接,粘接时,将磨削片小硅片的磨削面粘贴到原片小硅片的抛光面上,粘接好后的组合小硅片进行固化后备用;(5)将步骤(4)得到的组合小硅片的横截面在第三树脂多孔砂轮齿端面上打磨1‑3min,再在第四树脂多孔砂轮齿端面上打磨3‑6min,打磨后的磨削片小硅片清洗干燥后备用;第三树脂多孔砂轮齿端面的砂轮粒度大于第四树脂多孔砂轮齿端面的砂轮粒度;(6)将步骤(5)得到的组合小硅片固定在第一夹具上进行研磨和抛光10‑20min后备用;(7)将步骤(6)得到的组合小硅片固定在带有一定角度θ的第二夹具上进行研磨抛光,研磨抛光20‑30min后,磨削片小硅片和原片小硅片的横截面上出现一个倾角为θ的斜面,此时,用光学显微镜观察横截面的表面质量情况;(8)用腐蚀液擦拭组合小硅片的横截面,边腐蚀边用光学显微镜观察横截面的表面情况,当横截面上出现腐蚀的坑时,继续腐蚀5‑8min;(9)在步骤(8)得到的磨削片小硅片的横截面上喷金后用扫面电子显微镜进行损伤层测量,通过在不同样品位置取最大损伤层深度取平均值得到L,并根据公式H=Lsinθ计算损伤层H的损伤深度。
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