[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和记录介质在审
| 申请号： | 201710740016.X | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN107768280A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 吴青一;内藤亮一郎;志手英男 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种有效抑制处理液的过滤器的堵塞的基板处理装置。涂敷、显影装置包括排出处理液的喷嘴(22)；对喷嘴供给处理液的处理液供给部(30)；和控制器。处理液供给部包括将处理液从罐(40)引导至喷嘴的送液管(L1)；设置于送液管的泵(50)；和过滤器(60)，其在送液管中设置于罐与泵之间，包含罐侧的第一空间(61)、泵侧的第二空间(62)、过滤用材料(63)。控制器(100)执行第一控制，其控制处理液供给部以利用泵使处理液经由过滤用材料从第一空间侧流到第二空间侧；和第二控制，其在第一控制后，控制处理液供给部以利用泵使处理液经由过滤用材料从第二空间侧流到第一空间侧。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其特征在于，包括：排出处理液的喷嘴；将所述处理液供给到所述喷嘴的处理液供给部；和控制器，所述处理液供给部包括：用于收纳所述处理液的罐；将所述处理液从所述罐引导至所述喷嘴的第一管路；设置于所述第一管路的泵；和过滤器，其在所述第一管路中设置于所述罐与所述泵之间，包含所述罐侧的第一空间、所述泵侧的第二空间、和将所述第一空间与所述第二空间分隔开的过滤用材料，所述控制器执行：第一控制，其控制所述处理液供给部以使得利用所述泵使所述处理液经由所述过滤用材料从所述第一空间侧流到所述第二空间侧；和第二控制，其在所述第一控制后，控制所述处理液供给部以使得利用所述泵使所述处理液经由所述过滤用材料从所述第二空间侧流到所述第一空间侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710740016.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
