[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和记录介质在审
申请号: | 201710740016.X | 申请日: | 2017-08-23 |
公开(公告)号: | CN107768280A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 吴青一;内藤亮一郎;志手英男 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 记录 介质 | ||
技术领域
本发明涉及基板处理装置、基板处理方法和记录介质。
背景技术
专利文献1中公开了一种液体处理装置,其包括:贮存处理液的处理液容器;排出处理液的排出喷嘴;连接处理液容器和排出喷嘴的供给管路;设置于供给管路的过滤器;设置于过滤器的二次侧的供给管路的泵;和将泵的排出侧与过滤器的一次侧连接的返回管路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-140001号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种有效抑制处理液的过滤器的堵塞的基板处理装置、基板处理方法和记录介质。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基板处理装置,包括:排出处理液的喷嘴;将处理液供给到喷嘴的处理液供给部;和控制器,处理液供给部包括:用于收纳处理液的罐;将处理液从罐引导至喷嘴的第一管路;设置于第一管路的泵;和过滤器,其在第一管路中设置于罐与泵之间,包含罐侧的第一空间、泵侧的第二空间、和将第一空间与第二空间分隔开的过滤用材料,控制器执行:第一控制,其控制处理液供给部以利用泵使处理液经由过滤用材料从第一空间侧流到第二空间侧;和第二控制,其在第一控制后,控制处理液供给部以利用泵使处理液经由过滤用材料从第二空间侧流到第一空间侧。
当控制器执行第一控制时,处理液中的微粒被捕集到过滤用材料的第一空间侧。因此,如果仅持续执行第一控制,则微粒蓄积在过滤用材料的第一空间侧,会发生过滤器的堵塞。其中,过滤器的堵塞是指,因蓄积于过滤用材料的微粒导致的流量的下降变得无法容许的状态。与之相对地,控制器构成为执行第二控制。通过控制器执行第二控制,处理液经由过滤用材料从第二空间侧流到第一空间侧,所以蓄积于过滤用材料的第一空间侧的微粒的至少一部分从过滤用材料离开。由此,微粒向过滤用材料的第一空间侧的蓄积得以缓和。因此,对过滤器的堵塞抑制是有效的。
第二控制也可以包括响应于过滤器的内压变高,排出经由过滤用材料从第二空间流入到第一空间的处理液的步骤。经由过滤用材料从第二空间流入到第一空间的处理液,包含从过滤用材料离开的微粒。通过排出该处理液,能够抑制从过滤用材料离开的微粒再次蓄积到过滤用材料。因此,对过滤器的堵塞抑制更加有效。
控制器也可以构成为响应于第一空间的内压与第二空间的内压之差变大,开始第二控制。第一空间的内压与第二空间的内压之差(称为“压差”),响应于蓄积于过滤用材料的微粒(以下将其称为“蓄积微粒”)增加而变大。因此,通过响应于该压差变大而切换第一控制和第二控制,能够响应于蓄积微粒增多而将第一控制切换到第二控制。通过响应于蓄积微粒增多而开始第二控制,能够提高使蓄积微粒从过滤用材料离开的效果。因此,对过滤器的堵塞抑制更加有效。
也可以构成为,处理液供给部还包括:对罐内的处理液向泵侧进行加压的加压部;和不经由过滤用材料将第一空间和第二空间连接的第二管路,控制器还执行第三控制,其中,该第三控制为:控制处理液供给部以使得在通过第二控制使处理液经由过滤用材料从第二空间侧流到第一空间侧之后,利用第二管路将由加压部加压后的处理液引导到第二空间,由此使处理液经由过滤用材料从第二空间侧流到第一空间侧。在这种情况下,通过执行第三控制,在第二控制执行后也能够持续从第二空间侧向第一空间侧的处理液的流动来清洗微粒。因此,对过滤器的堵塞抑制更加有效。
第三控制也可以包括控制处理液供给部以使得响应于第二空间的内压变得比罐的内压低,打开经由第二管路的处理液的流路。在这种情况下,能够在第三控制的执行开始后,迅速地形成从第二空间侧向第一空间侧的处理液的流动。因此,对过滤器的堵塞抑制更加有效。
控制器也可以构成为在第一控制之前还执行第四控制,该第四控制为:控制处理液供给部以使得利用泵使处理液经由过滤用材料从第二空间侧流到第一空间侧。优选在刚更换过滤用材料后等,在第一控制执行前,执行使处理液充分浸渍过滤用材料的步骤。以下,将使过滤用材料浸渍于处理液中称为“润湿过滤器”,将使过滤用材料润湿到能够用于基板处理的程度称为“过滤器的准备”。在过滤器准备时,有时会从过滤用材料产生微粒。根据上述第四控制,在过滤器准备时处理液从第二空间侧流到第一空间侧,由此能够使微粒产生于第一空间侧。由此,能够抑制微粒向喷嘴侧的流出。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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