[发明专利]结终端扩展终端结构的制备方法及结构在审
| 申请号： | 201710738612.4 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107591324A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 韩超;王莎;张玉明;汤晓燕;郭辉;宋庆文 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种结终端扩展终端结构的制备方法及结构，该方法包括选取SiC衬底层；在所述SiC衬底层表面生长外延层；利用离子注入工艺在所述外延层上形成结终端扩展区；利用离子注入工艺在所述外延层上形成有源区；在所述外延层表面生长绝缘钝化层以完成所述结终端扩展终端结构的制备。本发明通过线性变化的边缘电荷分布消除传统碳化硅结终端扩展边缘处的单点锋锐电场峰并降低峰值电场值，缓解结边缘的电场集中效应，从而降低器件由于单点高电场诱发额外漏电和提前击穿的风险，提高结终端扩展结构在反向耐压时的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 终端 扩展 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种结终端扩展终端结构的制备方法，其特征在于，包括：选取SiC衬底层；在所述SiC衬底层表面生长外延层；利用离子注入工艺在所述外延层上形成结终端扩展区；利用离子注入工艺在所述外延层上形成有源区；在所述外延层表面生长绝缘钝化层以完成所述结终端扩展终端结构的制备。
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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