[发明专利]一种改善接触孔插塞氧化物凹陷的工艺方法

摘要

本发明提供了一种改善接触孔插塞氧化物凹陷的工艺方法，通过将预清洗工艺中湿法刻蚀(DHF+SC1)替换为等离子体干法刻蚀，从而能够避免由于ALD氧化物和PECVD氧化物湿法刻蚀速率不同而产生的原子层沉积工艺(ALD)沉积的氧化物层的过快刻蚀而导致的接触孔(Channel Hole)的弯曲状(Bowing Profile)形貌的加剧的情况；同时由于等离子体干法刻蚀的各向异性特点，能够有效控制预清洗工艺主要针对硅槽底部表面，而对于接触孔侧壁的刻蚀较少，从而避免了接触孔(Channel Hole)的弯曲状(Bowing Profile)形貌的加剧，从而提高了3D NAND闪存的整体性能，从而提高了3D NAND闪存的整体性能。

主权项

1.一种改善接触孔插塞氧化物凹陷的工艺方法，包括以下步骤：形成多层堆叠结构，首先，提供衬底，所述衬底表面形成有多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层，所述牺牲介质层形成于相邻的层间介质层之间；然后，采用化学机械研磨工艺获得顶层层间介质层光滑平整的表面；为形成顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)进行刻蚀，采用常规的刻蚀工艺形成顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)的沟道；对顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)沟道进行填充，具体为，采用原子层沉积工艺，在所述沟道中沉积填充顶层选择栅切线氧化物材料；沉积插塞氧化物，具体为，采用等离子体增强化学气相沉积法，在顶层选择栅切线氧化物材料的表面沉积插塞氧化物；在插塞氧化物表面形成氮化硅层；为形成接触孔(Channel Hole)进行刻蚀，采用常规的刻蚀工艺形成接触孔(Channel Hole)，所述接触孔通至所述衬底并形成一定深度的硅槽；对所述硅槽进行预清洗处理，所述预清洗为等离子体干法刻蚀工艺；在所述硅槽中进行硅的外延生长形成硅外延层(SEG)。