[发明专利]一种改善接触孔插塞氧化物凹陷的工艺方法

权利要求书

1.一种改善接触孔插塞氧化物凹陷的工艺方法，包括以下步骤：

形成多层堆叠结构，首先，提供衬底，所述衬底表面形成有多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层，所述牺牲介质层形成于相邻的层间介质层之间；然后，采用化学机械研磨工艺获得顶层层间介质层光滑平整的表面；

为形成顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)进行刻蚀，采用常规的刻蚀工艺形成顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)的沟道；

对顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)沟道进行填充，具体为，采用原子层沉积工艺，在所述沟道中沉积填充顶层选择栅切线氧化物材料；

沉积插塞氧化物，具体为，采用等离子体增强化学气相沉积法，在顶层选择栅切线氧化物材料的表面沉积插塞氧化物；

在插塞氧化物表面形成氮化硅层；

为形成接触孔(Channel Hole)进行刻蚀，采用常规的刻蚀工艺形成接触孔(ChannelHole)，所述接触孔通至所述衬底并形成一定深度的硅槽；

对所述硅槽进行预清洗处理，所述预清洗为等离子体干法刻蚀工艺；

在所述硅槽中进行硅的外延生长形成硅外延层(SEG)。

2.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：

所述层间介质层和牺牲介质层的材质分别为氧化物和氮化物。

3.根据权利要求2所述的工艺方法，其特征在于：

所述氧化物为正硅酸乙酯(TEOS)，所述氮化物为氮化硅(SiN)。

4.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：

在形成多层堆叠结构步骤中，所述化学机械研磨工艺(CMP)为研磨速率较低的化学机械研磨(Buffer CMP)。