[发明专利]一种去除光刻胶底膜的工艺方法有效
| 申请号： | 201710731276.0 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN107464750B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 孔欣 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 51223 成都华风专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体加工制造领域，公开了一种去除光刻胶底膜的工艺方法，包括如下步骤：利用传送手臂将待处理晶圆送至感应耦合等离子体刻蚀机的工艺腔体内，并将传送手臂收回；待晶圆位置固定之后，在工艺腔体内采用Ar等离子体处理待处理晶圆，并控制感应耦合等离子体刻蚀机的功率处于第一预设功率，偏置功率处于第二预设功率，并停留预设时长；在工艺腔体内采用O | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 光刻 胶底膜 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除光刻胶底膜的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：/n将待处理晶圆置于感应耦合等离子体刻蚀机工艺腔体内；/n在所述工艺腔体内采用Ar等离子体处理所述待处理晶圆，并控制所述感应耦合等离子体刻蚀机的功率处于第一预设功率，偏置功率处于第二预设功率，并停留预设时长，具体为，控制Ar的流量为20-30sccm，压强为0.8~1.5Pa，使得所述待处理晶圆的光刻胶底膜软化；/n在所述工艺腔体内采用O
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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