[发明专利]一种去除光刻胶底膜的工艺方法

权利要求书

1.一种去除光刻胶底膜的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

将待处理晶圆置于感应耦合等离子体刻蚀机工艺腔体内；

在所述工艺腔体内采用Ar等离子体处理所述待处理晶圆，并控制所述感应耦合等离子体刻蚀机的功率处于第一预设功率，偏置功率处于第二预设功率，并停留预设时长，具体为，控制Ar的流量为20-30sccm，压强为0.8~1.5Pa，使得所述待处理晶圆的光刻胶底膜软化；

在所述工艺腔体内采用O₂等离子体处理所述待处理晶圆，并控制所述感应耦合等离子体刻蚀机的功率处于第一预设功率，偏置功率处于第三预设功率，并停留预设时长，使得所述O₂等离子体与软化的光刻胶底膜反应，生成反应物并抽离晶圆表面；

将晶圆释放并送出所述工艺腔体，获得处理后的晶圆；

所述待处理晶圆具体为匀涂正性光刻胶但经过离子注入轰击形成胶壳的晶圆，或者经过电镀液长时间浸泡的，以及匀涂负性光刻胶完成剥离工艺的或者返工的晶圆；

所述第一预设功率具体为50~100W，所述第二预设功率具体为0~5W；所述第三预设功率具体为0W。

2.根据权利要求1所述的去除光刻胶底膜的工艺方法，其特征在于，将待处理晶圆置于感应耦合等离子体刻蚀机工艺腔体内，具体包括：

将所述待处理晶圆置于感应耦合等离子体刻蚀机的传送手臂上；

控制将所述待处理晶圆传送至感应耦合等离子体刻蚀机的工艺腔体内，所述传送手臂收回，将所述待处理晶圆置于工作位置并固定。

3.根据权利要求2所述的去除光刻胶底膜的工艺方法，其特征在于，将所述待处理晶圆处于工作位置并固定具体为：

将所述待处理晶圆处于工作位置并采用静电吸附或机械压盘方式进行固定。

4.根据权利要求1所述的去除光刻胶底膜的工艺方法，其特征在于，在所述工艺腔体内采用O₂等离子体处理所述待处理晶圆，并控制所述感应耦合等离子体刻蚀机的功率处于第一预设功率，偏置功率处于第三预设功率，并停留预设时长，使得所述O₂等离子体与软化的光刻胶底膜反应，生成反应物并抽离晶圆表面的过程中，控制O₂的流量为50-100sccm,压强为1.0~1.5Pa。