[发明专利]一种光掩模清洗工艺在审
申请号: | 201710728019.1 | 申请日: | 2017-08-23 |
公开(公告)号: | CN107490933A | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 张坤;刘藩东;夏志良 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人: | 佟林松 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 一种光掩模清洗工艺,包括脱膜;先将光掩模固定在清洗机台上,然后将带有真空保护罩吸头的保护罩放在光掩模板上,抽真空,当压力达到10‑1~10‑3Pa时停止抽真空;利用干法或/和湿法清洗光掩模上的残胶,清洗完后用高纯水冲洗光掩模数次;向保护罩中注入气体使保护罩和光掩模分离,然后将光掩模除胶保护罩移走;先用高纯水超声冲洗光掩模,然后用光照射光掩模,重复光照射和超声冲洗数次,最后再用高纯水超声冲洗光掩模。本发明的优点在于可显著提高光掩模使用寿命,大幅降低光罩成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 光掩模 清洗 工艺 | ||
【主权项】:
一种光掩模清洗工艺,其特征在于,所述工艺包括:脱膜:去除光掩模表面的保护薄膜;抽真空:先将光掩模固定在清洗机台上,然后将带有真空保护罩吸头的保护罩放在光掩模板上,抽真空,当压力达到10‑1~10‑3Pa时停止抽真空;去胶质:利用干法或/和湿法清洗光掩模上的残胶一定时间,清洗完后用高纯水冲洗光掩模数次;充气、移走保护罩:向保护罩中注入气体使保护罩和光掩模分离,然后将光掩模除胶保护罩移走;清洗:先用高纯水超声冲洗光掩模,然后用光照射光掩模,重复光照射和超声冲洗数次,最后再用高纯水超声冲洗光掩模。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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