[发明专利]一种光掩模清洗工艺

权利要求书

1.一种光掩模清洗工艺，其特征在于，所述工艺包括：

脱膜：去除光掩模表面的保护薄膜；

抽真空：先将光掩模固定在清洗机台上，然后将带有真空保护罩吸头的保护罩放在光掩模板上，抽真空，当压力达到10^-1～10^-3Pa时停止抽真空；

去胶质：利用干法或/和湿法清洗光掩模上的残胶一定时间，清洗完后用高纯水冲洗光掩模数次；

充气、移走保护罩：向保护罩中注入气体使保护罩和光掩模分离，然后将光掩模除胶保护罩移走；

清洗：先用高纯水超声冲洗光掩模，然后用光照射光掩模，重复光照射和超声冲洗数次，最后再用高纯水超声冲洗光掩模。

2.根据权利要求1所述的光掩模清洗工艺，其特征在于，所述脱模为选用5～500N、垂直于光掩模表面、缓慢向上的拉力去除光掩模表面的保护薄膜。

3.根据权利要求1或2所述的光掩模清洗工艺，其特征在于，所述真空保护罩尺寸小于保护薄膜尺寸，且大于光掩模图形边界，所述保护罩厚度为0.5mm～2cm，所述真空保护罩吸头下端开设均匀分布的真空吸气孔。

4.根据权利要求3所述的光掩模清洗工艺，其特征在于，所述真空保护罩的材料为石英玻璃或聚四氟乙烯。

5.根据权利要求1～3之一所述的光掩模清洗工艺，其特征在于，所述干法清洗为等离子体清洗，所述湿法清洗为有机溶剂清洗，时间为1～30min；所述清洗完后用高纯水冲洗光掩模冲洗次数为2～10次。

6.根据权利要求5所述的光掩模清洗工艺，其特征在于，所述等离子体为O₂等离子体、O₃等离子体、以及O₂和O₃混合等离子体中的一种或两种以上的组合,所述等离子体密度值为10⁶～10²⁰cm^-3，温度为50C～400C,压力为5mtorr～500mtorr；所述有机溶剂为浓H₂S₂O₄或浓H₂S₂O₄和H₂O₂按照10:1～1:10组合。

7.根据权利要求5所述的光掩模清洗工艺，其特征在于，所述时间为10～15min；所述冲洗次数为3～5次。

8.根据权利要求1～3之一所述的光掩模清洗工艺，其特征在于，当注入压力达到1～1.5个大气压时停止通入气体，所述气体为纯氮气或空气。

9.根据权利要求1～4之一所述的光掩模清洗工艺，其特征在于，所述高纯水超声冲洗时间1～10min，超声波功频率为10～130KHz，光照的波长为0.2～200微米，光照时间为10～60min，重复次数为2～10次。

10.根据权利要求9所述的光掩模清洗工艺，其特征在于，所述高纯水超声冲洗时间3～5min，超声波功频率为50～100KHz，光照的波长为20～100微米，光照时间为20～40min，重复次数为3～5次。