[发明专利]一种光掩模清洗工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种光掩模清洗工艺，具体涉及一种光掩模清洗工艺。

背景技术

光掩膜是微电子制造领域中光刻工艺所使用的图形母版，是由不透光的遮光薄膜在透明基板上形成掩模图形，并通过曝光将图形转印到产品基板之上。对于制造超大规模集成电路(VLSI)和特大规模集成电路(ULSI)，光掩模技术越来越重要，通常一套高级的光掩模需要百万美金。在制造光掩模时，掩模上会残留SO₄^2-和NH⁴⁺，曝光时在193nm或者193nm以下波长的照射下(如172nm)，掩模板上会逐渐生成雾状缺陷(haze),通过对雾状缺陷成分的分析，硫酸铵(NH₄)₂SO₄)化合物被认为是最主要的雾状缺陷的问题。因此，需要定期清洗光掩模以去除掩模上的Haze。为了防止环境对光掩模的污染，一般会在掩模板上覆盖一层薄膜，去膜后掩模板上会残留大量的粘合剂，由于现在的清洗工艺缺陷和光掩模精度要求，一般掩模板清洗3次左右就需要重新制板，导致耗费巨大的费用，可见光掩模清洗是光掩模制造过程中最重要的工艺步骤之一。

目前，光掩模清洗工艺忽略了清洗剂对相移膜(MoSiON)、光阻挡膜(Cr/CrO)和粘合剂的不同影响，例如，现有技术中光掩模，如图1，包括1-光掩模，4-残胶，6-薄膜，经过脱模后，如图2，包括1-光掩模，4-残胶，然后选用常用的半导体湿式清洗技术中化学清洗液清洗光掩膜后，不仅会在光掩模上残留高浓度的离子，见表1，而且整个光掩模区域都被清洗一遍，使得有效的光掩模区域在清洗时难以保护起来。

表1-光掩模上残留的高浓度离子(ppb＝μg/l)

离子Cr^-NO^2-NO^3-SO₄^2-Na⁺NH₄⁺K⁺结果2.500.150.2362.992.166.440.22检测极限0.050.080.080.060.020.010.03