[发明专利]一种变禁带宽度的超结VDMOS器件有效
| 申请号： | 201710726176.9 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107482051B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;罗蕾;谢驰;李佳驹;张金平;任敏;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种变禁带宽度的超结VDMOS器件，包括金属化漏电极、第一导电类型半导体掺杂衬底、第一导电类型掺杂区、第二导电类型半导体掺杂柱区、多晶硅栅电极、栅介质层、金属化源电极；本发明在常规超结VDMOS器件的第二导电类型掺杂柱区侧面引入采用窄禁带半导体材料的窄禁带第一导电类型掺杂区，并在第一导电类型掺杂区和窄禁带第一导电类型掺杂区的正上方引入采用宽禁带半导体材料的宽禁带第一导电类型掺杂区，通过上述措施，能够有效改变超结VDMOS器件发生雪崩击穿时雪崩击穿电流路径，使雪崩击穿电流远离寄生BJT的基区，从而避免寄生BJT的发射极正偏，造成BJT开启，从而提高了器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 变禁带 宽度 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
一种变禁带宽度的超结VDMOS器件，包括金属化漏电极(1)、第一导电类型半导体掺杂衬底(2)、第一导电类型掺杂区(3)、第二导电类型半导体掺杂柱区(6)、多晶硅栅电极(10)、栅介质层(11)、金属化源电极(12)；金属化漏电极(1)位于第一导电类型半导体掺杂衬底(2)下表面；第一导电类型掺杂区(3)和第二导电类型半导体掺杂柱区(6)位于第一导电类型半导体掺杂衬底(2)上表面；第二导电类型半导体掺杂柱区(6)位于第一导电类型掺杂区(3)两侧，并与第一导电类型掺杂区(3)形成超结结构；第二导电类型半导体掺杂柱区(6)顶部具有第二导电类型半导体体区(7)；第二导电类型半导体体区(7)内部上层具有相互独立的第一导电类型半导体掺杂源区(8)和第二导电类型半导体掺杂接触区(9)，其中第一导电类型半导体掺杂源区(8)位于靠近第一导电类型掺杂区(3)的一侧；所述多晶硅栅电极(10)位于第二导电类型半导体体区(7)上表面，并与第二导电类型半导体体区(7)之间通过栅介质层(11)相绝缘；所述金属化源电极(12)位于器件的最上层，金属化源电极(12)的下表面覆盖在第二导电类型半导体掺杂接触区(9)、部分第一导电类型半导体掺杂源区(8)的上表面、以及栅介质层(11)的上表面和侧面；其特征在于：所述第一导电类型掺杂区(3)两侧和第二导电类型半导体掺杂柱区(6)之间还具有窄禁带第一导电类型掺杂区(4)，第一导电类型掺杂区(3)和窄禁带第一导电类型掺杂区(4)的正上方具有宽禁带第一导电类型掺杂区(5)，所述宽禁带第一导电类型掺杂区(5)与第二导电类型半导体体区(7)和栅介质层(11)相接触，窄禁带第一导电类型掺杂区(4)的下表面与第一导电类型半导体掺杂衬底(2)的上表面接触，窄禁带第一导电类型掺杂区(4)的顶部与第二导电类型半导体体区(7)的下表面不接触；所述窄禁带第一导电类型掺杂区(4)垂直长度比第二导电类型半导体掺杂柱区(6)的垂直长度短。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710726176.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
